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通过计算机可获得产品设计的可行性方案，即保设计方案满足所制定技术条件的要求，但尚不是经济技术指标的方案，为了达到经济技术指标的，这需要把技术和化方法结合起来。计算机图形技术的发展，一种新的三维机交互式图形技术，即虚拟现实（Virtual reality）技术的出现，给计算机技术的发展，辟了新的天地，虚拟现实与传统的交互式三维图形技术不同，后者操作者是在计算机外的现实操作计算机的图形，而前者则可让操作者进入计算机里的虚拟亲临其境地进行操作，把这种技术和计算机仿结合可以在计算机内设计产品，这种产品称为虚拟产品，设计者可以在“虚拟”环境中对产品进行和优化，这是计算机技术的发展方向。长期以来，我国低压电器产品往往是把各研究所和工厂有关技术人员集中在一处，进行联合设计，这种方式使大多数设计人员脱离本厂的环境而造成诸多不便。90年代以来出现的计算机协同设计CSCD（Computer Supported Cooperative Design）技术，可远程异地协同设计的环境，它是基于Internet而实现的一种群体设计的新概念，国外的计算机辅助设计软件如PRO/E和Internet等已新增了这方面的功能。依靠这种技术，人们可以在不同地点通过Internet共同讨论设计方案，绘制和修改设计图纸。
黄山休宁低压关柜油式电力变压器2024更新中（/公告）
干式变压器 、箱式变压器 、油浸变压器 、整流变压器 、电力变压器、电炉变压器、组合变压器等系列，品牌包括西门子、EKEA、亿佳、新英、景赛、朗特宁、LNBRT、 、星沃盾、鞍变、大全、华鹏、华宇、一、正泰等品牌国产、进口变压器。
单晶炉，长晶炉，多晶硅炉，半封闭母线槽，插接式母线槽，水冷空调、制冷设备，冷凝器、电容柜，电线电缆，输配电设备，配电箱、变压器(干式、油式、箱式)、电梯、空压机、高压关、互感器、UBS电瓶、电动机、压缩机、机械设备、厨房设备、酒店设备、公设备、电抗器、稳压器，发电机组, 生产线，活动房，配电柜，收购器，冷凝器，叉车, 行车,厂区行车，集装箱等等
【电力变压器运行维护】变压器的运行维护主要包括四方面的内容：基本要求、设备倒闸操作、巡视检查及事故。（1）基本要求1）高压维护人员必须持上岗，无者无权操作。2）需停电检修时，应报批准，并通知用户后进行。3）室外油浸变压器应每年检测绝缘油一次，室内油浸变压器应每二年检测绝缘油一次。（2）变压器倒闸操作顺序：停电时先停负荷侧，后停电源侧；送电时与上述操作顺序相反。1）从电源侧逐级向负荷侧送电，如有故障便于确定故障范围，及时作出判断和，以免故障蔓延扩大。2）多电源的情况下，先停负荷侧可以防止变压器反充电。若先停电源侧，遇有故障可能造成保护装置误动。（3）巡视检查：根据变电安全运行规程要求，运行值班人员除交需要进行巡视检查外，一次变电所每班应巡视检查5次。巡视检查项目如下。1）变压器温度及声音是否正常，有无异味、变色、过热及冒烟等现象。油浸变压器的上层油温根据生产厂家的规定不超过95℃（允许温升55℃），为防止变压器油过快劣化，上层油温不宜超过85℃。2）保持瓷瓶、套管、磁质表面清洁，观察有无裂纹破损、放电现象。油浸变压器的油位应合乎标准、颜色正常、无漏油喷油现象。3）干式变压器的风机运转声音及温控器指示是否正常。4）变压器高、低压、接地的接线处是否接触良好，有无变色现象。（4）变压器的事故1）发现下列情况之一者应立即停止运行a．内部异音很大，并有裂声。b．正常冷却情况下，温度急剧上升。c．油枕和防桶喷油、冒烟（油浸变压器）。d．严重漏油，已看不到油位（油浸变压器）。e．变压器冒烟、着火。f．套管有严重破裂及放电现象。j．接线端子熔断，出现断相运行。2）步骤a．首先按照倒闸操作顺序，断变压器高、低压侧关，并好安全措施。b．变压器上盖着火时，打底部油门，使其低于着火处。3）允许向后再的事故及其步骤a．变压器负荷超过运行规程规定时，应及时报告上级负责人，并注意监测负荷及温度。b．声音异常、端子过热或发红熔化，应及时报告上级负责人，以便及时采取措施。c．变压器温度超过允许温升，应尽快查明原因。检查三相负荷是否平衡（是否有匝间短路现象），变压器的冷却装置是否正常，有载调压器分接关是否接触 ，变压器铁心硅钢片间是否短路。4）油浸变压器轻动作，发出告信号及信号继电器掉牌时的a．首先查明原因：是否漏油导致油面降低，变压器故障而产生少量气体，变压器内部短路故障引起油温升高，继电器内部有无气体，二次回路和保护装置。b．方法：立即关闭告信号，恢复信号牌并将关把手转向闸位置，并断重保护的跳闸压板。若是继电器内部故障，则应及时更换。 另外，关电源的发展与应用在节约能源、节约资源及保护环境方面都具有重要的意义。关电源中应用的电力电子器件主要为二极管、IGBT和MOSFET、变压器。SCR在关电源输入整流电路及软启动电路中有少量应用，GTR驱动困难，关频率低，逐渐被IGBT和MOSFET取代。
