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  产品规格:单晶炉设备回收
  产品数量:100
  包装说明:提拉式单晶炉回收
  价格说明:120200

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这样一个单晶拉制过程基本完成,进行一定的保温冷却后可以取出。通过石墨加热器产生的高温将其熔化,然后,对熔化的硅液稍降温,使之产生一定的过冷度,再用一根固定在籽晶轴上的硅单晶体(称作籽晶)插入熔体表面,待籽晶与熔体熔和后,慢慢向上拉籽晶,晶体便会在籽晶下端生长,接着,控制籽晶生长出一段长为100mm左右,直径为3~5mm的细颈,用于高温溶液对籽晶的强烈热冲击而产生的原子排列的位错,这个过程是引晶,随后。把高纯度的多晶硅原料放入高纯石英坩埚单晶硅生长炉的原理简介/我有更好的/首先放大晶体直径到工艺要求的大小。直拉法,也叫切克劳斯基(J.Czochralski)方法。此法早在1917年由切克劳斯基建立的一种晶体生长方法,用直拉法生长单晶的设备和工艺比较简单,容易实现自动控制,生产效率高,易于大直径单晶,容易控制单晶中杂质浓度,可以低电阻率单晶。

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IGBT在 零电压条件下关断,同样也能减小关断损耗,但是MOSFET在零电流条件下通时,并不能减小容性通损耗。谐振转换器(ResonantConverter ,RC),准谐振转换器(Qunsi-Tesonant Converter,QRC),多谐振转换器(Mu1ti-ResonantConverter,MRC),零电压关PWM转换器(ZVS PWM Converter).。后,待大部分硅溶液都已经完成结晶时,再将晶体逐渐缩小而形成一个尾形锥体,称为收尾工艺。这样一个单晶拉制过程基本完成,进行一定的保温冷却后可以取出。
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