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  • 发布时间:2024/4/24 10:35:39
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  产品规格:单晶炉设备回收
  产品数量:100
  包装说明:提拉式单晶炉回收
  价格说明:120200
二手多晶硅长晶炉苏州金阊整流柜物流/提货派送绘制原则:1,电气原理图中的电器元件是按未通电和没有受外力作用时的状态绘制。在不同的工作阶段,各个电器的动作不同,触点时闭时。而在电气原理图中只能表示出一种情况。因此,规定所有电器的触点均表示在原始情况下的位置,即在没有通电或没有发生机械动作时的位置。对接触器来说,是线圈未通电,触点未动作时的位置,对按钮来说,是手指未按下按钮时触点的位置,对热继电器来说,是常闭触点在未发生过载动作时的位置等等。通过石墨加热器产生的高温将其熔化,然后,对熔化的硅液稍降温,使之产生一定的过冷度,再用一根固定在籽晶轴上的硅单晶体(称作籽晶)插入熔体表面,待籽晶与熔体熔和后,慢慢向上拉籽晶,晶体便会在籽晶下端生长,接着,控制籽晶生长出一段长为100mm 左右,直径为3~5mm的细颈,用于高温溶液对籽晶的强烈热冲击而产生的原子排列的位错,这个过程是引晶,随后。原理简介首先放大晶体直径到工艺要求的大小。把高纯度的多晶硅原料放入高纯石英坩埚。

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采用智能化控温系统,移相触发,可控硅控制,炉采用氧化铝多晶纤维材料,保温效果好,双层壳体结构,带有风冷和水冷系统,能快速降温,炉门配有循环水冷,防止密封圈过快老化,保炉门与炉胆的可靠密封。主要用途和适用范围\可应用于电子元器件,新型材料及粉体材料的真空或气氛条件下的热工艺。也用于冶金,机械,轻工,商检,高等院校及科研部门,工矿企业电子陶瓷产品的预烧,烧结,钎焊等工艺。主要能和特点:1。产品介绍:SG-XQL1400型箱式真空气氛炉以 硅碳棒为加热元件加热元件采用 硅碳棒充气系统,温控系统进行程序控制,作简单方便, 无误。晶体便会在籽晶下端生长,接着,控制籽晶生长出一段长为100mm左右,直径为3~5mm的细颈,用于高温溶液对籽晶的强烈热冲击而产生的原子排列的位错,这个过程是引晶。慢慢向上拉籽晶。通过石墨加热器产生的高温将其熔化,然后,对熔化的硅液稍降温,使之产生一定的过冷度,再用一根固定在籽晶轴上的硅单晶体(称作籽晶)插入熔体表面。把高纯度的多晶硅原料放入高纯石英坩埚原理简介首先待籽晶与熔体熔和后随后生长出一定直径规格大小的单晶柱体。具有自主知识产 -JN)TDR—JN系列全自动晶体生长炉具有自主知识产权,是采用直拉法生长P型或N型单晶硅材料的专用设备。容易控制单晶中杂质浓度,可以低电阻率单晶。

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主要服务江浙地区(南京市,镇江,常州,无锡市,苏州,南通,太仓,昆山,宜兴,江阴,启东,海门,张家港,宣城,常熟,湖州,嘉兴,杭州,绍兴,宁波,舟山市)

其特征在于经氩气输入管输入的氩气气压为0.8xl03Pa0.9xl03Pa,氩气流量为30L/min。上述技术方案中。且可减少热能及氩气消耗的直拉式单晶生长炉。实现本发明目的的技术方案是一种直拉式单晶生长炉,其包括氩气输入管。本发明的目的是一种易于及时排出炉内的混合气体发明内容与氩气输入管相连通的环形气体分布器还包括设于直拉式单晶生长炉的坩埚支持器下方和该部的排气口之间的气流导向装置该炉的石墨中轴穿过所述气流导向装置的中轴孔所述气流导向装置的中轴孔与该炉的石墨中轴活动密封连接所述气流导向装置的上端部的外壁与该炉的保温筒密封连接所述气流导向装置由石墨制成经氩气输入管输入的氩气气压为0.8x103pa0.9xl03Pa且利于在硅单晶生长过程中单晶分子排列结构的整齐性且气流导向装置的中轴孔及一对电极孔分别与该炉的石墨中轴及一对电极孔配合设置由于该炉的排气口与气流导向装置的各通气孔相连通既有效地防止了一氧化硅气体对加热器和坩埚支持器等石墨器件的腐蚀另外还可对硅晶体的生长过程起到稳定作用。分子泵,真空泵,真空流量计,plc编程,控制屏,离子泵,涡轮分子泵,螺杆真空泵,涡旋高真空泵,直接将断路器作手柄凸出到内门外,柜门上直接断路器作手柄,柜外作,采用固定分隔柜,水平母线室与单元之间,单元与单元之间加隔离防护,采用抽屉柜,单元与母线室,接线端子完全隔离。

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