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  • 发布时间:2024/4/20 6:07:29
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  产品规格:单晶炉设备回收
  产品数量:100
  包装说明:提拉式单晶炉回收
  价格说明:120200

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坩埚 速度与转速,保护气体的流速等因素的影响。其中温度主要决定能否成晶,而速度将直接影响到晶体的内在质量,而这种影响却只能在单晶拉出后通过检测才能获知。温度分布合适的热场,不仅单晶生长顺利,而且品质较高,如果热场的温度分布不是很合理,生长单晶的过程中容易产生各种缺陷,影响质量,情况严重的出现变晶现象生长不出来单晶。因此在投资单晶生长企业的前期,一定要根据生长设备,配置出合理的热场。提拉速度与转速单晶炉热场的设计与单晶直径在生长过程中可受到温度从而保生产出来的单晶的品质。在晶体生长分析与设计中,实验与数值是相辅相成的,其过程可以分为两个部分:(1)在阶段,利用引上法晶体生长实验来进行数值模拟参数的调整。(2)在第二阶段,利用数值模拟是用来确定佳的晶体生长工艺参数。

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炉筒升降采用丝杠提升技术,简便干净。特点编辑HD系列硅单晶炉的炉室采用3节设计。上筒和上盖可以上升并向两边转动。便于装料和维护等。炉筒升降支撑采用双立柱设计。即可满足转动所需的扭矩,又可实现转速的控制。质量流量计控制氩气流量。自主产权的控制软件采用视窗,操作方便简洁直观。多种曲线和数据交叉分析工具了工艺实时的。可靠性高,抗干扰性好。双摄像头实时采集晶体直径信息。液面测温确保下籽晶温度和可重复性。炉内温度或加热功率控制方式可选,保控温精度。质量流量计控制氩气流量。维护方便全自动控制系统采用模块化设计高精度真空计结合电动蝶阀实时控制炉内真空度。上称重传感器用于晶棒直径的辅助控制。所有腔体都经过缺陷炉室检查和探伤检验,并且经过0.6MPa水压试验和氦质谱检漏仪检漏。一、主炉体构造1、基座与板板设计成平板式,具有双层结构,通水冷却。四只电极穿过底板,在坩埚提升机构的波纹管连接处有一个水冷却法兰区。2、主、下炉室主、下炉室为双层筒状结构,两端为法兰结构,通水冷却,并有隔水条保冷却均匀。主炉室设置了一个测温计窗口,用于测量加热器温度。下炉室有抽真空和真空计接口(0~100Torr和0~1Torr)。下炉室在正常操作过程中始终用压板固定在板上,通过氟橡胶O型圈实现真空密封。3、炉盖炉盖为炉体和隔离阀座了一个过渡区。炉盖采用标准炉盖,双层通水冷却。在炉盖上设有一个操作者观察窗口(类椭圆形)和一个直径控制窗口(圆形)。
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